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EOS测试
发布时间：2025-04-27
随着人们对电子系统依赖程度的不断提高，防止设备因雷击或开关操作引发的瞬态浪涌而受损已成为一项重要任务。浪涌发生器作为浪涌抗扰度测试的核心设备，可以模拟这些瞬态条件。半导体雷击浪涌发生器（适用于放电管等电子元器件行业）是严格按照电工委员会IEC颁布的IEC61000-4-5和IEC801-5标/准及客户行业要求设计的，适用于国标GB/T17626.5标准。
设备参数
| 浪涌波形 | 电压波1.2/50 us；电流波:8/20 us |
| 开路电压 | 5~660V |
| 短路电流 | 2.5~330A |
| 浪涌极性 | 正、负、先正后负、先负后正 |
| 输出阻抗 | 2Ω、12Ω |
| 耦合/去耦网络 | 内置，10A |
| 次数 | 1~9999次 |
| 间隔时间 | 5 ~9999s |
